应用中心 > 薄膜太阳能激光划线 > 工艺步骤

Menu
您的位置: 应用中心 > 薄膜太阳能激光划线 > 工艺步骤
 
描述
工艺步骤
以下工艺步骤以微晶非晶和碲化镉薄膜光伏技术为例,详细描述了如何在膜层上实现划线工艺(由于膜层性质不同,铜铟镓硒制成顺序正好相反)。
沉积前电极膜层: 在玻璃基底上沉积透明导电的前电极膜层

激光划线 P1工艺
激光划线系统透过玻璃划开膜层(取决于膜层性质,使用紫外光或红外光)。
沉积光吸收层: 一层半导体膜被沉积在模组的前电极膜层上

激光划线 P2工艺
激光划线系统运用绿光透过玻璃和前电极层有选择地将半导体膜层划掉。
镀膜: 沉积背电极膜层。在P2通道中,前电极与背电极间形成电气连接

激光划线 P3工艺
激光束透过玻璃和前电极有选择性地将半导体膜层和背电极膜层划掉。这样,就在前电极和背电极之间为相邻的电池节形成了电气绝缘,电池节只能通过P2工艺中在前后电极之间造成的电气连接串联起来。
绝缘清边: 激光绝缘清边工艺确保模组四个边缘完全绝缘,为下一步封装工艺做准备
激光划线工艺路线图
薄膜太阳能模组,尤其是碲化镉和铜铟镓硒模组在制造过程中都会用到超高温工艺,这就导致了大型模组的严重热变形。在这种情况下,为了确保生产出高性能的薄膜光伏模组,划线系统必须能够探测到弯曲模组上变歪的P1或P2线,并且在一下步刻划工艺中进行矫正。乐普科太阳能设备有限公司研制的Allegro激光划线系统可以自动实现该矫正功能,以补偿因模组弯曲变形而产生的误差。

更多资讯
乐普科(天津)光电有限公司
 
天津市高新园区榕苑路15号
300384 鑫茂科技园1-B-1207
中国
 
电话:
+86 22 2378 5318
E-Mail:
联系表格


LPKF 集团网址
LPKF WeldingQuipment
LPKF SolarQuipment
LaserMicronics
ZelFlex Stretching Frames

LPKF 销售网络
Europe
America
Asia
Africa
Australia
English
Deutsch
Español
Français
Русский
Slovenščina
日本語
新闻通讯 
优酷  YouKu
RSS 
<