LPKF NEXAR直写技术助力可扩展CPO光电共封,将亮相CSPT x iTGV 2026无锡展会

随着AI算力集群从单颗GPU向万卡规模演进,传统电互连在400G及以上速率下面临带宽受限与能效下降的双重压力。将光学接口不断向计算芯片靠拢、在封装层面实现光电融合,已成为行业共识。玻璃基板凭借其独特的光电协同优势,正在成为这一路线图的关键载体。

 

光电共封推动封装材料革新 

AI芯片的爆发式增长放大了传统有机基板的固有短板:翘曲、介电损耗高、线路微缩受限。相比之下,玻璃基板具有极低的热膨胀系数(CTE),与硅、光芯片实现热匹配,可在宽温度范围内确保封装内部对准结构的长期稳定性。同时,玻璃的光学透明性支持光信号在基板内部传输,为光子集成与光波导的形成提供天然路径。此外,玻璃基板具备板级可扩展能力,支持从样品研发到大规模量产的高效过渡。 

2026年,从英特尔在OFC 2026展出的CPO集成玻璃基板样品,到台积电搭建CoPoS试点产线,再到长电科技明确玻璃基板及光电合封的技术突破,玻璃基板正迎来从技术验证到规模化量产的关键拐点。 

LPKF NEXAR直写技术:玻璃基板上的三层突破 

LPKF NEXAR直写技术利用玻璃基板的透明性与低热膨胀特性,构建高性能光子集成平台,在大规模量产中实现稳定的光耦合、亚微米级无源对准以及灵活的光路由。 

第一层:无裂纹精密切割,实现光学平面级耦合界面 

传统机械划片与激光烧蚀均会损伤玻璃边缘。LPKF LIDE专利技术完全避免表面接触:先在亚表面定义改性路径,玻璃沿该路径精确断裂,形成光学平面级、无裂纹的切割表面,无需后道抛光,且在大批量生产中保持每片基板的几何一致性。波导可延伸至预定腔壁位置,光子IC或边缘耦合器直接紧贴切割壁放置,实现低损耗光学接口。 

第二层:被动对准结构,提供亚微米级量产方案 

主动对准虽可达到亚微米级精度,但每个光学接口或光芯片的对准耗时长达数分钟,无法满足CPO大规模量产对单位小时产出(UPH)的要求。行业正加速转向被动对准方案。LPKF NEXAR直写技术可直接在玻璃内部生成精密对准特征,无需二次材料、无键合界面、无热失配。在单一工艺序列内,即可实现光纤阵列、光子IC与边缘耦合器接口之间的亚微米级对准,组装过程简化为纯粹的贴装步骤。 

第三层:嵌入式3D光波导,支持真正的三维光路由 

传统2D波导局限于平面XY路由,难以满足CPO对集成密度的严苛要求。LPKF NEXAR直写技术通过激光直接写入,在玻璃内部实现局域折射率改性,形成真正的3D波导——无需材料去除,无层数限制。光信号可在X、Y、Z三个方向自由传播,支持垂直过渡、交叉布线、扇出结构,全部在单一无掩模工艺中完成。同时,LIDE技术可实现无微裂纹、高深宽比的TGV加工,与直写波导在同一流程中完成TGV、对准结构和光路的单片集成,全面覆盖CPO从边缘耦合到光路由的全链路加工需求。 

亮相CSPT x iTGV 2026无锡展会 

2026年5月28-29日,全球首场面向下一代人工智能芯片、聚焦先进封装玻璃基板的大规模专业展会——CSPT x iTGV 2026半导体封装测试暨玻璃基板生态展,将在无锡国际会议中心举行。本次展会以“先进封装赋能AI算力,玻璃基板重构芯生态”为主题,汇聚近200家海内外展商,全面呈现先进封装全景图。同期将举办100余场专业技术报告,涵盖CoWoS、CoPoS、FOPLP、CPO、TGV、GCP、2.5D/3D等技术赛道。现场还将搭建CoWoS封装全流程展示线和TGV中试线完整展示区,实景演绎量产核心工艺。 

LPKF将在G68展位展出面向CPO的全系列玻璃精密加工解决方案。来自德国总部的技术专家将到场与参会者交流,共同探讨下一代CPO基板架构的技术路径与工程实践。 

展会时间:2026年5月28-29日 
展会地点:无锡国际会议中心 
LPKF展位号:G68 

欢迎业界同仁莅临LPKF展台交流。 

 

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