与封装膨胀系数(CTE)匹配的封装基板

AMP 技术可以直接使用环氧模塑料制作中等线宽/间距的封装基板。从而缓解半导体芯片和封装内其他铜器件之间由于膨胀系数不同造成的热应力

AMP 工艺制作CTE匹配封装基板

普通IC封装及系统级封装都需要套用到多种不同材质的原料。 这给设计者和芯片封装代工厂都造成了很多严峻的挑战,如不同材质造成的内部热应力对生产良率以及产品寿命的影响。

AMP工艺是可以有效的减少封装的这种特殊复杂性,其可以用作基板材料来减缓不同材料-芯片,金属原件等之间的不同热膨胀系数造成的应力。另外AMP是一种中等级别的互联技术, 其可以达到线宽间距(L/S) 都是25微米,TMV 的宽深比达到1:10. 从这个角度来看,AMP 是可以作为FR-4基板的替代方案。作为再布线层(RDL)的制作方式, 用于扇出型晶圆级和扇出型板级封装生产工艺中。(fo-WLP/ fo-PLP)

相对于传统的封装集成天线技术,AMP工艺拥有很多优势:

  1. 减少20%的封装引脚,更小的过孔和孔焊盘
  2. TMV 宽深比达1:10
  3. 更好的CTE 匹配程度:减少芯片和铜层之间的CTE 不匹配
  4. 嵌入式的导线,连接点,以及过孔焊点让封装整体外形统一。

活性模塑封装(amp)仅需三步工艺就可在环氧模塑表面形成RF器件

  1. 特殊开发的环氧模塑料(EMC),一般是颗粒料或饼料。
  2. 选择性在EMC表面选择性激光激活,挖槽或TMV钻孔
  3. 在EMC表面的激光激活部分,化学镀金属化。

 联系我们

* 必填项
产品快捷查询
产品快捷查询